Speaker
Description
Lucrarea prezintă un studiu experimental detaliat asupra comportamentului electric al nano-dispozitivelor PN pe bază de siliciu, puternic dopate, cu dimensiuni caracteristice de aproximativ 3000 nm. Scopul cercetării a fost investigarea dependenței caracteristicilor curent– tensiune (I–V) în funcție de temperatură, în intervalul 300 K – 8 K, pentru a evidenția efectele dopării ridicate și ale transportului non-liniar asupra performanței dispozitivelor semiconductoare la scară nanometrică. Măsurătorile I–V au fost realizate utilizând o configurație în două puncte care permite o determinare directă a comportamentului electric al structurii PN. Rezultatele experimentale au evidențiat modificări semnificative ale curentului de saturație și ale pantei caracteristicii în funcție de temperatură, sugerând o tranziție a mecanismelor dominante de transport de la conducția prin difuzie la procese de tunelare directă. În plus, au fost observate regiuni distincte de conductanță negativă diferențială (NDC peaks), asociate proceselor de tunelare și injecției de purtători în condiții de suprasaturație. Rezultatele obținute contribuie la înțelegerea mecanismelor de transport în structuri semiconductoare pe bază de siliciu puternic dopate și oferă direcții relevante pentru proiectarea și optimizarea viitoarelor nano-dispozitive funcționale în condiții variate de temperatură.